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非接觸雷射斷層掃描偵測技術 極高速極精確

SSI雷射斷層掃描技術涵蓋下面幾項主要的有優點與特色:
. 最先進的第三代雷射斷層掃描技術
. 先進的光纖雷射技術
. 具撓性光纖導管的探測頭
. 客製化的掃瞄系統
. 提供完整製程自動化的能力
工業級光干涉斷層掃描技術
應用 - 晶圓厚度/空隙/平整度量測
晶圓薄化的趨勢極為快速及明顯,特別是3D的晶圓。檢視過去2015到2021晶圓薄化的紀錄即可了解,MEMS厚度從370~250um降到100um,ASIC MEMS從100~150um到100um,memories從50um到um, Logics從50um到2um,power device從60~110um到60um以上的晶圓薄化趨勢讓晶圓製造商對保持晶圓厚度的一致性及平整度變成是一個不可忽視的課題,特別是在保持下個貼合後晶圓的良好品質。要達到晶圓製造商的期許,能即時檢測晶圓厚度/平整度,並能同時量測測貼合膠水的厚度及檢測空隙、氣泡、龜裂等瑕疵的技術變成是關鍵,SSI提供的工業用雷射斷層掃描技術即能解決晶圓厚度即時檢測等問題。
關鍵技術

 

 

 

 

詳細規格